Энергонезависимая память на гибридной технологии, сочетающей транзисторы и нанопровода, обладает преимуществами и перед традиционными транзисторами, и перед перспективными нанопроводами.
Полунано: Гибридная память
«Фейерверк» из нанонитей оксида цинка (II)

Нанопровода и другие наноматериалы являются многообещающими предметами для создания новых поколений электронных устройств. Из-за присущих им свойств, которые определяются только их размером, множество исследователей стремятся найти способы заменить ими существующую технологию, основанную на применении транзисторов. Группа ученых из США и Южной Кореи под руководством Курта Рихтера (Curt Richter) разработала гибридное запоминающее устройство, в котором общепринятые сегодня технологии соседствуют с кремниевыми нанопроводами. Гибридная структура делает их более надежными и облегчает внедрение инновационных компонентов в уже существующие системы.

Используя этот подход, исследователи разработали энергонезависимое запоминающее устройство, которое сохраняет информацию даже в выключенном состоянии. Кремниевые нанопровода в нем сочетаются с модулем памяти на SONOS-транзисторе (Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor). Работает гибридная память, которая получила название SiNW ONO (Silicon Nanowire Oxide-Nitride-Oxide), довольно просто. Нанопровода из кремния выращиваются на субстрате «оксид-нитрид-оксид». Когда прикладывается положительное напряжение, электроны проникают в субстрат; когда напряжение прикладывается отрицательное, они возвращаются обратно в провода. В отсутствии напряжения они не перемещаются, и с устройства может быть считана информация.

Авторы указывают, что их технология обладает рядом особенностей, делающих SiNW ONO привлекательной для использования в устройствах с энергонезависимой памятью: упрощение записи, считывания и удаления информации, и — что еще более важно, — наличие широкого «окна памяти», которое определяется диапазоном прикладываемого напряжения. Широкое окно памяти означает, что SiNW ONO обладает высокой сопротивляемостью к внешним скачкам напряжения. Подчеркиваются и преимущества в сравнении с устройствами, построенными полностью на основе нанопроводов — это простота внедрения, надежность и стабильность. Единственное, о чем до сих пор не было сказано — это какие значения плотности хранения данных могут быть достигнуты с помощью данной технологии.

Все ближе момент, когда нанотехнологии перевернут мир. Читайте о небольших шажках, которые ученые то и дело делают в этом направлении: «К нанолазерам», «Железные реснички», «Наноткань».

«Нанометр»