Группа ученых НИИЯФ МГУ проводит исследования по взаимодействию плазмы с современными материалами с ультранизкой константой диэлектрической проницаемости. Работа в этом направлении может увенчаться созданием комплектующих для электронных устройств с чрезвычайно плотным расположением элементов.
Нанопористые материалы для электроники

«Мы работаем с новыми нанопористыми материалами с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k films), которые позволяют обеспечить распространение сигналов в новых чипах с высокой плотностью упаковки элементов — расстоянием (half-pitch) между элементами 10−22 нанометров», — поясняет ведущий научный сотрудник отдела микроэлектроники НИИЯФ МГУ, кандидат физико-математических наук Дмитрий Лопаев.

Чем меньше это расстояние, тем больше на одном квадратном сантиметре можно сделать элементов. «Речь сейчас идет о тысяче миллиардов элементов на квадратный сантиметр. Это процессоры, это память. Реально это такие вещи, когда на одной ладони у вас будут размещаться огромные вычислительные мощности», — говорит ученый.

Исследователи экспериментируют с материалами с 50-процентной пористостью, размер пор которых составляет от 2 до 4 нанометров, что сопоставимо с несколькими слоями атомов. Эти пористые материалы очень легкие, легче, чем углеродные углепластики, но при этом обладают очень высокой прочностью. Самым перспективным из исследуемых является органосиликатный SiOCH-материал, состоящий из кремния, кислорода, углерода и водорода.

Цель работы российских ученых состоит в понимании того, как деградируют подобные материалы в плазме в условиях процесса производства, во время травления. Зная это, можно предложить пути, как избежать подобной деградации.

По сообщению НИИЯФ МГУ