Тончайшая электроника: Одноатомный слой
По словам одного из соавторов работы, опубликованной в журнале Nature Nanotechnology, разработанная ими техника в сочетании с возможностями современной литографии позволит получать полностью функциональные электрические схемы размерами 20−30 нанометров, а толщиной всего в один атом.
Графен, при всех его замечательных свойствах, сам по себе не может стать основой для «наносхем» — помимо проводящего материала, для электроники необходимы полупроводники и изоляторы. Поэтому ученые занялись поиском диэлектрического материала сходной структуры — им стал гексагональный нитрид бора. Ранее исследователи показали, что соединение графена и нитрида бора методом парофазного осаждения (CVD) позволяет получить неоднородные листы с контролируемыми электронными свойствами.
Новая методика, разработанная исследователями, позволила задать области графена и нитрида бора произвольной формы. Для этого на лист гексагонального нитрида бора была наложена вырезанная с помощью лазера «маска», а незащищенный ей материал был вытравлен с помощью газообразного аргона. Затем с помощью того же метода CVD в освободившиеся области был наращен слой графена. Такой смешанный лист может быть помещен на любую подложку. И если ученым удастся интегрировать в него еще и полупроводниковый материал — следует ожидать скорого появления гибкой наноэлектроники.
По сообщению Rice University News & Media