Учёные придумали, как сделать сверхтонкую память на квантовых точках
За ультратонкими материалами будущее — память из такх материалов будет занимать минимум места в устройстве.
Ультратонкое устройство памяти, материализованное с помощью двумерного наноматериала толщиной в несколько нанометров, помимо очевидных плюсов в плане габаритов также может обладать куда большей плотностью памяти. Однако у такой памяти тоже есть ограничения — наноматериалы довольно плохо захватывают носители заряда.
Исследовательская группа создала устройство, которое может стать кандидатом на память следующего поколения. Устройство сформировано из монослойных нульмерных квантовых точек, помещенных между двумя изолирующими двумерными гексагональными нитридами бора — а точнее, их ультратонкими нанопленками.
Учёные внедрили нульмерные квантовые точки с отличными квантово-ограничительными свойствами в активный слой, контролируя носители в 2D наноматериале. Квантовые точки сформировали вертикально сложенную композитную структуру (как стопка), которую поместили между двумерными гексагональными наноматериалами. Разработанное устройство сохраняет прозрачность более 80% и свои функции даже при сгибании.
В чём новизна? Исследователи научились укладывать квантовые точки на изолирующем нанометериале вместо укладки на проводящем графене. Это упростит технологию производства таких наноматериалов.
Исследование опубликовано в журнале Composites Part B: Engineering.