Построена диодная матрица для самого мощного лазера

Специалисты из Ливерморской национальной лаборатории имени Лоуренса (США) изготовили самую большую на сегодняшний день матрицу из полупроводниковых лазерных диодов, которая способна вырабатывать импульсы света с пиковой мощностью 3,2 МВт.
Теги:
РЕКЛАМА – ПРОДОЛЖЕНИЕ НИЖЕ

Диодная матрица является ключевым компонентом системы накачки High-Repetition-Rate Advanced Petawatt Laser System (HAPLS), разработка которой ведется в лаборатории. Она будет установлена на перспективном лазере Extreme Light Infrastructure (ELI), который строится в Чехии и станет самым мощным лазером в мире.

Новый массив предназначен для замены ламп-вспышек, которые более 50 лет традиционно используются в качестве основного источника световых импульсов для лазерных установок. Такие лампы обычно создают импульсы один раз в секунду, в то время как диоды способны генерировать за то же время 10 импульсов мощностью по 1 кДж.

Источники питания, разработанные в лаборатории LLNL, способны выдавать импульсы тока высокой силы (до 40 тысяч ампер) и строго заданных параметров, в частности, длительности и формы. Система HAPLS будет производить лазерные импульсы мощностью свыше 1 ПВт и частотой 10 Гц, а длительность импульсов составит 30 фемтосекунд.

Первый запуск лазерной установки планируется осуществить до 2017 года. В будущем технология позволит производить компактные лазерные системы очень высокой мощности. Кроме того, благодаря относительной простоте системы повышается ее надежность.