Samsung начала массовое производство чипов памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит

Микросхемы GDDR6 построены на базе 10-нанометрового техпроцесса и имеют плотность 16 гигабит (2 гигабайта). Сообщается, что в сравнении с предыдущим поколением – 8-гигабитной GDDR5, выполненной по 20-нанометровому техпроцессу, – новая память обеспечивает в два раза более высокую скорость передачи информации: у GDDR6 скорость передачи информации на контакт составляет 18 Гбит/с, суммарная скорость – 72 ГБ/с. Новые микросхемы также потребляют примерно на 35 процентов меньше энергии, чем GDDR5: рабочее напряжение у GDDR6 – 1,35 В, а у памяти предыдущего поколения – 1,55 В.