Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство новых чипов eUFS (Universal Flash Storage), которые расширят объем встроенной памяти будущих смартфонов до 512 гигабайт. Сообщается, что новые чипы, хотя и обладают в два раза большей емкостью, по размерам не отличаются от предыдущей модели емкостью 256 ГБ.
Samsung начала производить модули памяти на 512 ГБ для смартфонов
Samsung

Samsung занимается производством устройств V-NAND в течение последних нескольких лет. Теперь компания сообщила, что начала производство нового модуля, состоящего из восьми 64-слойных V-NAND чипов и чипа контроллера, которые увеличат емкость накопителя до 512 ГБ. Это вдвое больше, чем у предыдущей модели, состоящей из 48 слоев, передает портал New Atlas.

По словам Samsung, пользователь сможет хранить около 1 300 минут видео с разрешением 4K на мобильном устройстве, в котором будет использовать новый чип eUFS; это примерно в 10 раз больше, чем в случае с Galaxy S8.

Кроме того, Samsung заявляет, что новый модуль также способен быстрее считывать и записывать информацию; скорость последовательного считывания может достигать 860 МБ/с, а скорость записи — 255 МБ/с. В компании говорят, что видеофайл размером 5 ГБ можно будет перенести на SSD примерно за 6 секунд. Разработчики отмечают также, что в новом устройстве также обновили технологию управления питанием, чтобы снизить до минимума энергопотребление.

Samsung планирует усиленно производить новые чипы, чтобы покрыть спрос, а также расширить производство уже существующей модели на 256 ГБ.